【3003.com官网科技消息】据外媒报道,英特尔正在推进新一代芯片制造技术的研发。公司CEO陈立武在JP摩根技术会议上确认,英特尔目前已在开发“10A”和“7A”制造工艺,这些技术预计将在2030年代投入市场,将实现芯片设计的进一步微型化。

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当前英特尔的研发重点仍是即将推出的14A工艺。陈立武透露,14A开发进展符合预期,早期版本的工艺设计套件(PDK)已可供客户使用,更成熟的版本将在10月交付外部合作伙伴。多家客户已表达对14A工艺的兴趣,但英特尔未披露具体名称。
按计划,14A工艺的风险试产将于2028年启动,2029年实现大规模量产。这一时间线与主要竞争对手台积电相近,后者也计划在2020年代末推出同类技术。
14A将成为首批在工业规模上采用ASML高数值孔径极紫外(High-NA EUV)光刻系统的制造工艺之一。陈立武指出,引入这一全新光刻技术极为复杂,除光刻机本身外,还需开发新的光掩模、材料和测量方法。英特尔正与ASML及其他合作伙伴密切合作,以确保该技术如期达到量产条件。ASML CEO此前表示,首批使用High-NA EUV制造的测试芯片将在未来数月内完成。
与台积电的技术路线不同,英特尔在14A中采用了芯片背面供电技术,该技术尤其适用于高性能数据中心处理器。
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